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中芯国际力争在2010年实现45纳米小批量试产

发布时间:2020-07-21 17:36:00 阅读: 来源:融雪剂厂家

编者点评(莫大康 SEMI China顾问):中芯国际在高端技术中又有新的进步,值得庆贺,中芯国际在有限的条件下争取进步是够困难的,但是有时形势逼迫我们,非进不可。中芯国际面临的问题表面上看是个盈利问题,实际上反映的是人材,技术,市场和资金等具有综合性。所以在高端代工中如果没有特色,缺乏足够的IP, 及配套的服务能力及长远的发展规划 要想争抢大fabless的订单是很难的, 而且形势在逼迫我们, 要尽快的成功。

本文引用地址:年,中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实现45纳米和40纳米技术的小批量试产。

2010年半导体业将持续复苏的势头,在通信和消费类电子市场的带动下,相应的半导体产品市场出现了回升;低碳经济、绿色能源这些新兴市场的兴起,也将给相应的半导体市场带来发展契机。尽管受到了的国际金融危机的冲击,但是中芯国际一直没有减缓技术研发的进度,相反在国际金融危机期间,公司的资源更多地分配给了研发部门。

在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中,中芯国际有两项技术获奖,其一是“65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”,其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。

目前,中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证,并于2009年第三季度开始在北京厂小批量试产。中芯国际65纳米技术前段采用的是应力工程和镍硅合金工艺,后段采用的是低介电常数铜互连工艺。中芯国际还将继续在65纳米技术节点上拓展更多的技术种类。

在65纳米技术节点上,CMOS器件的电学参数更难以控制,为此,中芯国际引入了DFM(可制造性设计),这样不但提高了设计服务的能力,而且拓宽了IP库。中芯国际和国内的设计公司协作,不仅研发出了通用的IP,而且为中国市场开发出定制的IP。

0.11微米图像传感器技术是中芯国际和相关设计公司合作开发的、具有国际先进水平的集成电路制造技术。该技术结合并优化了动态存储器及逻辑工艺,优化了像素设计,形成了一个通用的工艺平台,可以服务于从30万到300万像素的产品。中芯国际的0.11微米CMOS图像传感器技术不仅提供更高像素的图像,而且其数字信号处理的能力更强,该技术可以满足手机和图像传感器应用的所有需要。中芯国际的此项工艺完全自主研发,所用的工艺步骤优于国外同行,有着明显的成本优势,其结构、技术水平和光学性能都达到了国际先进水平。

2010年对于中芯国际来讲是非常重要的一年,因为我们要完成一系列的里程碑式的任务:45/40纳米的逻辑工艺平台要为试生产做好准备,要增强65和40纳米节点上的IP等等。所有这些技术创新都会增强中芯国际的芯片制造能力、IP能力、设计服务能力,最终一定会增强公司的赢利能力。

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